莱斯大学将水作为制备线宽小于10纳米的金属和半导体线的关键组分。莱斯实验室的化学家James Tour发现，水表面形成的弯曲液面是制备纳米线的有效工具。

Tour在莱斯的研究团队和研究生Vera Abramova，Alexander Slesarev已经分别制备出线宽在6至16 nm之间的硅线、二氧化硅线、金线、铬线、钨线、钛线、二氧化钛线和铝线，同时他们制备出具有多种材料的交叉结构的纳米线。

赖斯大学制备出纳米线的过程被称为弯液膜光刻技术（meniscus-mask lithography）。图上从左到右分别是他们制备出的硅线、二氧化硅线、金线、铬线、钨线、钛线、二氧化钛线和铝线。图片比例尺为1微米（图片来源：Tour Group/Rice Univ.）

目前，一篇关于弯液膜光刻技术的报告发表在《纳米快报》上。

由于可以使电路最小化，半导体行业被誉为朝阳产业。现在世界上最先进的集成电路导线线宽接近10 nm，微小到只有高倍的显微镜才可以观测。数十亿路径相互连接的晶体管聚集成现代的电子设备。

莱斯的Tour说：“当小于10纳米的线宽可以很轻易的制备出来，可能为芯片市场带来一场技术革命。目前，世界上没有其他方法来制备这种集成表面。”

目前制备微小电线的方法需要几个步骤，光刻技术作为蚀刻集成电路的标准方法，由于其物理因素限制了材料进一步的收缩能力。其实，大部分的半导体纳米线和金属纳米线是可以合成的，但是应用于集成电路作为电线使用还比较困难。

水具有表面张力最小化的优势，这使得研究人员发现，可以将水作为制备纳米线的一种工具。通过水分子形成弯液面，使得材料以某种模式聚集起来。弯液膜光刻技术的过程如下：使材料以某种序列形成，利用弯液面将电线包裹，其侧边利用金属进行屏蔽，经过蚀刻，纳米线形成。

Tour说这种技术可以和现代制造技术结合使用，设备不必经过改进即可实现。

新材料在线编译整理——翻译：陈琼