化学工程Jim Edgar教授的发明专利有助于制备更好的半导体。（来源：堪萨斯州立大学）

化学工程Jim Edgar教授收到了他的发明专利“离轴碳化硅衬底”，该专利有助于制备更好的半导体。该研究不仅可以帮助改善电子设备，同时也能使电力电子行业和半导体设备制造商受益。

由于半导体材料制备的电子设备必须是分层的，从而使得电子设备能正常工作。“这就像是一个蛋糕通过冰层分隔。” Edgar说。“当半导体各层匹配不好时，会引入缺陷，由此会降低设备的效率。”Edgar的研究开发了一种更好的办法来建造半导体，从而使得缺陷数量最小化—这对于制造业来讲是非常重要的发现。

Edgar认为这个研究发现是个偶然事件。几年前，当一位2011年的化学工程博士后研究人员在实验室工作时，她发现一个样品的基板非常平滑。美国纽约州立大学石溪分校和英国布里斯托尔大学的合作人员后来证实该层的存在，并证明它比标准的基板的缺陷更少。

“我们将该过程运用到其他系统。” Edgar说。“我们正在验证这个过程不仅仅适用于我们开始使用的材料，而且也适用于许多不同的材料。”

Edgar的一些研究专注于两种不同硼化物：二十面体磷和磷化硼。该研究由美国国家科学基金会资助。

新材料在线编译整理—— 翻译：杨超