2015年7月8日，牛津仪器等离子技术研讨会公布关于GaN和SiC功率半导体器件的工艺解决方案。

氮化镓或碳化硅宽带隙功率半导体器件的使用带来的潜在能源效率节省，已引起重大的研究兴趣和发展，并且在市售的器件中已经开始实现。许多技术挑战已得到解决，但致力于得到更高性能，更低成本器件的进一步的研究仍在进行。

牛津仪器在周三7月8日下午4时（英国）的网络研讨会包含2个会谈，一个是当前可用的工艺解决方案，第二个审视了当前的研究，解决了下一代器件的挑战。

第一个讲座是由牛津仪器功率半导体和ICT设备经理Chris Hodson主讲，将呈现“GaN和SiC功率半导体器件的等离子刻蚀和沉积过程”，随后是格拉斯哥大学超快系统教授（电子和纳米工程）Iain Thayne，将会讨论“硅兼容的GaN功率电子”。

Thayne教授是英国PowerGaN联盟的主要研究者，该联盟是一个具有620万英镑经费，由EPSRC资助的五年制项目，包括来自布里斯托，剑桥，格拉斯哥，利物浦，曼彻斯特，诺丁汉和谢菲尔德大学的33名研究人员，主要研究硅兼容GaN功率电子组件。

牛津仪器产品经理Chris Hodson评论说：“随着硅上氮化镓走进功率半导体市场，格拉斯哥大学和英国PowerGAN协会正在利用牛津仪器的高科技技术装备进行领先的研究。硅上氮化镓的成功开发，使得生产成本更低，衬底的直径更大，大批量制造功率器件的路径更简单。这与目前可用的商品相比，提供了更好的性能和效率水平，造就了更小，成本更低，性能更好和更有效的功率器件，具有更高的商用价值。"

该在线研讨会将会引起工程和器件制备研究者以及宽带隙器件工程师的注意。

报告之后将有一个在线的提问环节。

该研讨会将在2015年7月8号下午4点开始。

详尽而免费的登录网址:www.oxford-instruments.com/power

关于牛津仪器公司

牛津仪器，主要为科研和工业生产提供和维护高科技工具和系统。50多年来创新一直是推动牛津仪器成长和成功的背后力量，另外，他们的政策是将他们的想法投入到当代的以顾客为导向的市场里，以此推动这些想法的成功商业化。

牛津仪器作为第一个从牛津大学剥离出来的科技企业，现在已经是一个全球性的公司，在世界各地有2300员工，并明列伦敦证券交易所（OXIG）的FTSE250目录。它的目标是成为为纳米技术领域的研究和工业部门提供新一代工具和系统的领先供应商。它的主要市场领域包括纳米加工与纳米材料。该公司的战略是扩大业务进入纳米技术和生物技术的交叉学科生命科学领域。

这涉及到很多的核心技术的结合，如低温、高磁场和超高真空环境中;核磁共振; X射线，电子，基于计量的激光和光学;原子力显微镜;光学成像;先进生长，沉积和蚀刻。

牛津仪器的目标是通过科学技术，寻求我们对世界的相应改善和更深入的了解。它的产品，专业知识和想法解决了很多全球性问题，如能源，环境，安全和健康。

关于牛津仪器等离子体技术

牛津仪器等离子技术可为微米和纳米结构的精确、可控和可重复性制备，提供灵活的、可配置的加工工具和前沿的工艺。我们系统为纳米尺寸特性的蚀刻、纳米层沉积和纳米结构生长过程的控制提供了工艺解决方案。

这些解决方案是基于等离子体增强沉积和蚀刻、离子束沉积和蚀刻、原子层沉积、深硅蚀刻和物理气相沉积等核心技术。产品包括R&D紧凑型独立系统、批处理工具以及用于高通量生产工艺的集群盒到盒平台。

新材料在线编译整理——翻译：王晶晶    校正：摩天轮