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手机容量上1T不是梦,碳纳米管推动存储大变革

 

一直以来听到的都是互联网公司融资多少,至于电子行业的,尤其是半导体行业的融资信息,则凤毛麟角。

今天一间芯片公司在第五轮融资中筹得3150万美元,这件致力于研发存储器替代品,并专注于发展碳纳米技术的公司,为何会获得投资者的青睐,他们的技术优势体现在哪些方面,又会引起行业内的哪些变化呢?我们来看一下:

Nantero公司是什么来头?

Nantero成立于2001年,产品与2004年上市,其在半导体领域有庞大的专利组合,并将其应用在7个主要的晶圆厂,Nantero公司的目标是成为非易失性存储器技术领域的ARM。他们不会制造芯片,只授权其技术给芯片供应商,就像英国的ARM公司将ARM系统设计授权给苹果,三星和其他公司。。

Nantero将下一代基于碳纳米管的储存器命名为非易失性随机访问存储器(NRAM)。

NRAM有什么优势?

根据Nantero所说,他们的产品具备以下优势:

1、读取速度和DRAM一样快,比NAND闪存快了近100倍。但是功耗很低

2、耐用性强

3、数据存储可靠性强

4、切换时间快,媲美任何DRAM

5、尺寸比flash小,可低至5nm

将这些性能组合在一起,证明NRAM能够替代DRAMFlash。设想一下,以后你的系统只唯一的存储和内存。完全避开了flashDRAM的缺点。

同时对比于DRAMNRAM也没有其他成本的增加。制造DRAM电容器的时候,需要很多的掩膜和复杂的步骤。而在做NRAM的时候,只需要一层碳纳米管来存储数据,用一个低成本的原料替代高价货。

制造一种新型存储器的难点一般出现在批量生产环节。Nantero表示,在过去的两年中公司已经10次降低每个芯片上碳纳米管的成本。到目前为止,该公司已产出成千上万个芯片。

Nantero还声称,多年来其生产的NRAM存储器与金属氧化物半导体互补,NRAM芯片的生产线已经布设在7个工厂中。如今已经生产出供客户查看的4M存储器样品。Nantero还与排名前三的半导体公司达成了一些协议。 NRAM的工作原理

NRAM的工作原理就像一个电灯开关:当大于读取电压时,引起碳纳米管物理移动,创建或破坏连接。但碳纳米管的强度保证其免受破坏。

碳纳米管导电性和铜一样强,同时强度比钢大和硬度如金刚石一样。 Nantero公司的过程规定了两个电极之间的碳纳米管的非织造织物。

得益于量子力,即使电压比较小,但在大于读取电压时将引起NRAM“0”翻转到“1”,并且在同一电压使一个“1”翻转为“0”。翻转过程中,碳纳米管的组织很稳定。

Nantero公司认为,1TB的芯片是可能是多层的碳纳米管NRAM NRAM的结构和简单的电气特性是关键。同时他们正在设计的芯片与DDR3DDR4兼容,因为你只是把碳纳米管嵌进去。NRAM对存储行业的影响

这场关于存储的竞赛已处于最后阶段。惠普的忆阻器,CrossbarRRAMNantero公司的NRAM,都是技术上的领先者,数千万美元的研发后盾,巨大的市场。

谁赢了?我们都这样做。作为存储介质,Flash是远远不够理想的。但他的一点优势已经彻底改变了数据的存储。

新的非易失性存储级内存将启用全新的系统架构,消除许多传统数据访问缓慢的问题。即使CPU不会得到更快,但最新的存储系统会。终端设备的得益采用超高速和高密 集程度的芯片可以应用到众多的市场中,例如移动计算、可穿戴设备、电子消费品、航天航空、军事应用、企业系统、汽车行业、物联网以及工业市场等等。它们可 以取代闪存或动态随机存取存储器。未来,Nantero希望研制出可以存储T级数据的存储器,如此使用该存储器的移动设备就能容纳数百部电影或数百万首音乐。

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