首先，基板表面沉积金粒子，然后在表面覆盖氧化物孔图案。纳米线开始从孔中开始生长，之后移除氧化物，其他类型的纳米线通过沉积纳米粒子生长，最终形成双型阵列纳米线，如右图电子显微镜照片所示。（来源：阿尔托大学）

阿尔托大学的研究人员开发了一种可实现在单个基板上 形成不同类型纳米线组成的一个阵列的新方法，这种新技术使得采用不同半导体材料形成不同类型的纳米线成为可能。

“通过汽－液－固（VLS）和选择性区域外延（SAE）技术我们已经成功实现了不同纳米线在同一基板上生长。和之前在同一主题的研究相比，其不同之处在于，双型阵列中不同的材料并不会形成相同的纳米线，而是同一衬底上形成单独的纳米线。” Docent Teppo Huhtio说。

该研究于2015年2月5日发表在《纳米快报》杂志上

一些应用

这种新的合成过程有许多步骤。首先，金粒子分散在基板上，然后在基板上覆盖氧化银，接着用电子束光刻小孔形成图案。在生长的第一步，纳米线从小孔中开始生长（SAE），然后移除氧化硅。紧接着不同种类的纳米线在金粒子的帮助下生长（VLS）。在金属有机气相外延反应器中，起始材料在高温下发生分解，从而在基板上形成半导体化合物。

“通过这种方法我们成功地将两种方法结合到一种流程当中。” Joona-Pekko Kakko说。

“我们注意到，在光反射测量中，光能更好地与这种结构耦合。例如，太阳能电池具有更小的反射光的和更好的吸收。” Huhtio补充道。

除了太阳能电池和LED方面，该研究在热电式发电机方面也有不错的应用前景。

纳米线之所以被广泛研究，是由于半导体需要被制备得更小，且更经济。半导体材料制备的纳米线长度通常为1-10微米，直径只有5-100纳米左右。

该研究是在阿尔托大学电子工程学院进行的，该项目由阿尔托大学的阿尔托能源效率研究计划资助。

 

新材料在线编译整理—— 翻译：杨超