石墨烯在电子设备中的应用存在着一个巨大的障碍，而用精心设计的超苯（superbenzene）节段建造石墨烯可以帮助石墨烯克服这一障碍——打开石墨烯的带隙后，石墨烯能变为真正的半导体。

 

用一种自下而上的方法合成氮化硼掺杂石墨烯能够精确控制其结构。

石墨烯本质上是一个没有带隙的半金属。氮化硼能够为石墨烯提供形成原子级超薄电路所需的电子属性。然而，将这些氮化硼群放在能准确控制电子流的恰当位置是很困难的。

北京大学的裴剑（音译）和他的同事打算用coronene制成的“拼图块”在早期对石墨烯进行控制，而不是在制出石墨烯片后再向其中掺杂质。coronene是最小的石墨烯类型的分子，具有锯齿边缘，也被称为超苯。每一个“拼图块”包含三个氮化硼群。

 

氮化硼掺杂异晕苯（heterocoronene）的合成路线

虽然研究小组目前还没有把这些“拼图块”组装成更大的石墨烯片，但他们暗示说，因为“拼图块”展示出了C3对称性和更大的带隙，所以与其碳类似物相比，石墨烯非常有希望发展成一种拥有可调电子属性的新型二维材料。

新材料在线编译团队编译整理——翻译：Hi蜗牛